Verfügbarkeit: Heteroepitaxial growth of GaN nanostructures via metalorganic vapor phase epitaxy on sapphire and silicon using graphene as buffer layer

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Bibliographische Detailangaben
Titel:	Heteroepitaxial growth of GaN nanostructures via metalorganic vapor phase epitaxy on sapphire and silicon using graphene as buffer layer = Heteroepitaktisches Wachstum von GaN Nanostrukturen mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie auf Saphir und Silizium unter Anwendung von Graphen als Zwischenschicht
Von:	vorgelegt von Martin Heilmann aus Bad Waldsee
Person:	Heilmann, Martin Verfasser aut
Hauptverfasser:	Heilmann, Martin (VerfasserIn)
Format:	Hochschulschrift/Dissertation Elektronisch E-Book
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Erlangen ; Nürnberg 2017
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